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Random access memory (der; dt. Speicher mit wahlfreiem Zugriff), abgekürzt RAM, ist ein Speicher, der besonders bei Computern als Arbeitsspeicher Verwendung findet. Die gängigsten Formen gehören zu den Halbleiterspeichern. RAMs werden als integrierte Schaltkreise hauptsächlich in Silizium-Technologie realisiert. RAM wird in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.

Die Bezeichnung des Speichertyps als „wahlfrei“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass jede Speicherzelle über ihre Speicheradresse direkt angesprochen werden kann, der Speicher also nicht sequentiell oder in Blöcken ausgelesen werden muss (bei großen Speicherbausteinen erfolgt die Adressierung jedoch nicht über die einzelnen Zellen, sondern über ein Wort, dessen Breite von der Speicherarchitektur abhängt). Das unterscheidet den RAM von blockweise zu beschreibenden Speichern, den so genannten Flash-Speichern.

Der Begriff „random access memory“ (RAM, „Speicher mit wahlfreiem Zugriff“ oder „Direktzugriffsspeicher“) wird heute immer im Sinne von „read-write random access memory“ (RWRAM, „Schreib-Lese-RAM“) verwendet. Der Begriffsinhalt des Speichers mit wahlfreiem Zugriff trifft auch auf andere Speicherformen zu, insbesondere Speicherbausteinen vom Typ Read Only Memory (ROM, Nur-Lese-Speicher). Da die Bezeichnung RAM eigentlich ungenau ist, wurde zeitweise versucht, den Begriff „Read-Write Memory“ (RWM, Schreib-Lese-Speicher) zu etablieren, der sich jedoch nicht durchsetzen konnte.

Unter Nur-Lese-Speicher oder Festwertspeicher (engl. auch Read-Only-Memory, ROM) versteht man einen Datenspeicher, der nur lesbar ist, im normalen Betrieb aber nicht beschrieben werden kann und nicht flüchtig ist, das heißt: Er hält seine Daten auch in stromlosem Zustand. Das prädestiniert ihn zur Aufnahme von „fest verdrahteten“ Computerprogrammen wie z. B. dem BIOS. Das Einschreiben von Daten in ein ROM wird als Programmierung des Bausteins bezeichnet und ist nicht mit den Schreibzugriffen in einem Schreib-Lese-Speicher (Random Access Memory, Festplatte) vergleichbar. Zu unterscheiden ist zwischen Bausteinen mit reversibler und irreversibler Programmierung. ROM ermöglicht wie RAM einen wahlfreien Zugriff auf die Daten.

Ursprünglich wurden ROMs nur bei der Fertigung „fest verdrahtet“. Da diese Verdrahtung mit einer „Maske“ (einer Art Filmnegativ) auf den rohen Chip direkt aufbelichtet wird, spricht man hierbei von einem maskenprogrammierten ROM oder kurz Masken-ROM. Da sich dieses Verfahren allerdings nur in Großfertigung rechnet, wurde eine – ständig wachsende – Familie weiterer Speicherbausteine dieses Typs entwickelt, die auch nach der Fertigung mit Informationen befüllt werden können.

Ein Programmable Read Only Memory (PROM), zu deutsch programmierbarer Nur-Lese-Speicher, ist ein elektronisches Bauteil. Dabei handelt es sich eine programmierbare logische Anordnung (PLA), bei der ausschließlich das ODER-Array programmierbar ist.

Die ursprünglichen PROMs werden inzwischen nahezu nicht mehr verwendet. Heutige PROMs sind in Wirklichkeit nichts anderes als EPROMs ohne Löschfenster.

Der Unterschied vom PROM zum ROM liegt darin, das der ROM bei der Herstellung programmiert wird und der PROM selber programmierbar ist. Speicherzellen, die später ein 0-Signal ausgeben sollen, werden programmiert.

Ein EPROM (Erasable Programmable Read-Only-Memory, wörtlich: Löschbarer, programmierbarer Nur-Lese-Speicher) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer Speicherbaustein, der vor allen Dingen in der Computertechnik eingesetzt wird.

Dieser Bausteintyp ist mit Hilfe spezieller Programmiergeräte programmierbar und lässt sich mittels UV-Licht löschen und danach neu programmieren. Nach etwa 100-200 Löschvorgängen hat das EPROM das Ende seiner Lebenszeit erreicht. Das zur Löschung nötige Quarzglas-Fenster macht das Gehäuse relativ teuer, daher gibt es auch Bauformen ohne Fenster, die nur einmal beschreibbar sind (OTP).

Eine Weiterentwicklung des EPROM ist das elektrisch löschbare (Electrically Erasable PROM (EEPROM)).